بررسی تاثیر ناخالصی برخواص اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک نیمه رسانای cucro2

thesis
abstract

لایه های نازک نیمرسانای اکسیدی شفاف به خاطر اثرات الکتریکی و نوری آنها در ناحیه طیف مرئی همواره مورد توجه بوده اند،کاربردهای وسیع آنها در دستگاههای نوری، الکترونیکی، ترانزیستورها، دیودها وغیره باعث شده که بیشتر مورد توجه قرارگیرند.

similar resources

تاثیر ضخامت و آلایش- f در بهینه سازی خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک رسانای شفاف fto(sno2:f)

در این پژوهش لایه های نازک رسانا و شفاف fto را به روش اسپری بر روی زیرلایه های شیشه لایه نشانی کرده ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه ها) و نسبت آلایش f را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر sem مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف سنج optics ocean و مقاومت سطحی لایه ها بر حسب حجم محلول (ضخامت لای...

full text

تاثیر ضخامت و آلایش- F در بهینه‌سازی خواص الکتریکی و اپتیکی لایه‌های نازک رسانای شفاف FTO(SnO2:F)

  در این پژوهش لایه‌های نازک رسانا و شفاف FTO را به روش اسپری بر روی زیرلایه‌های شیشه لایه نشانی کرده‌ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه‌ها) و نسبت آلایش F را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه‌ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر SEM مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف‌سنج Optics Ocean و مقاومت سطحی لایه‌ها بر حسب حجم محلول (ضخامت ل...

full text

مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم

مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH<...

full text

بررسی خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3

در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایج...

full text

بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023